رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF14N80K5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF14N80K5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
859 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878208
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF14N80K5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ K5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
445mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF14
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
5060-STF14N80K5
STF14N80K5-DG
497-17845
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM60NB600CF C0G
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
31
DiGi رقم الجزء
TSM60NB600CF C0G-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA80R600P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
73
DiGi رقم الجزء
IPA80R600P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STW33N60M6
MOSFET N-CH 600V TO247
STD3NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
STW200NF03
MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
