الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP110N7F6
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP110N7F6-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12879682
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP110N7F6 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™ F6
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
68 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STP110N7F6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
STP110N7F6-DG
497-17934
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB3307ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
IRFB3307ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6005LCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT6005LCT-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMTH6005LCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH6005LCT-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6010SCT
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
DMT6010SCT-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP057N06N3GXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
IPP057N06N3GXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STDLED623
MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
STF25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP