رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP11NM60A
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP11NM60A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12873739
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP11NM60A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1211 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP11N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
497-4368-5
-497-4368-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SPP11N80C3XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6913
DiGi رقم الجزء
SPP11N80C3XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP8N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP8N65X2-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP11N60F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
996
DiGi رقم الجزء
FCP11N60F-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP9NK70Z
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
STD3NM60-1
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
