رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP5N52K3
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP5N52K3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12877425
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP5N52K3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH3™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
525 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP5N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-10652-5
-497-10652-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF830PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9086
DiGi رقم الجزء
IRF830PBF-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT5N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
588
DiGi رقم الجزء
AOT5N50-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STW28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
STFW24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
STD170N4F7AG
MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
