رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP9NK65Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP9NK65Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12870519
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
E0H2
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP9NK65Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1145 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP9NK65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB9N65APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
912
DiGi رقم الجزء
IRFB9N65APBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP4N60
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
1335
DiGi رقم الجزء
FCP4N60-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP10N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
242
DiGi رقم الجزء
IXFP10N80P-DG
سعر الوحدة
2.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STH140N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
