رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STU27N3LH5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STU27N3LH5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 27A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
المخزون:
12873229
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STU27N3LH5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™ V
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±22V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
475 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251 (IPAK)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STU27N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTD4815N-35G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11
DiGi رقم الجزء
NTD4815N-35G-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
STW28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STL7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
