رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW20NK70Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW20NK70Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 20A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12873132
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW20NK70Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
285mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW20N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
اسماء اخرى
497-3559-5
497-3559-5-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW60R075CPFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
240
DiGi رقم الجزء
IPW60R075CPFKSA1-DG
سعر الوحدة
6.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPW16N50C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
196
DiGi رقم الجزء
SPW16N50C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
1.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R280P6FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
17
DiGi رقم الجزء
IPW60R280P6FKSA1-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD5NK40Z-1
MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
STP80N70F4
MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
STF30NM50N
MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP