رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW25N60M2-EP
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW25N60M2-EP-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
600 قطع جديدة أصلية في المخزون
12876069
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW25N60M2-EP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ M2-EP
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1090 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW25
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
اسماء اخرى
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
