TSM7ND60CI
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM7ND60CI

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM7ND60CI-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

المخزون:

3962 قطع جديدة أصلية في المخزون
12898013
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM7ND60CI المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1108 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
TSM7

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
1801-TSM7ND60CI
TSM7ND60CI RLG
TSM7ND60CI-DG
TSM7ND60CI C0G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM060N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

taiwan-semiconductor

TSM1NB60SCT A3G

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

diodes

DMPH4029LFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

diodes

DMN24H3D5L-7

MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23