رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6076(TE16L1,NV)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD
المخزون:
12889979
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6076(TE16L1,NV) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
180 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
10 W
التردد - الانتقال
150MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD
رقم المنتج الأساسي
2SC6076
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MJD243T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2406
DiGi رقم الجزء
MJD243T4G-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SD1816T-TL-H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
723
DiGi رقم الجزء
2SD1816T-TL-H-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2235-Y,F(J
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
PZT2907A-TP
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
2SB1457,T6TOTOF(J
TRANS PNP 100V 2A TO92MOD
