رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1B04FE-GR,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1B04FE-GR,LF-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
7833 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890431
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1B04FE-GR,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN, PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
HN1B04
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
HN1B04FE-GR(5L,F,T
HN1B04FE-GRLFDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR
HN1B04FEGRLFTR
HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FEGRLFTR-DG
HN1B04FE-GRLFCT
HN1B04FE-GRLF(TTR-DG
HN1B04FE-GRLF(TCT
HN1B04FE-GR(5LFTCT
HN1B04FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1B04FE-GR,LF(B
HN1B04FE-GRLF(TCT-DG
HN1B04FE-GRLFTR
HN1B04FE-GR(5LFTDKR
HN1B04FE-GRLF(TDKR-DG
HN1B04FE-GRLF(TTR
HN1B04FE-GRLF(TDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR-DG
HN1B04FE-GR(5LFTCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPC6901(TE85L,F,M)
TRANS NPN/PNP 50V 6VS
HN2A01FU-Y(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
TPCP8901(TE85L,F,M
TRANS NPN/PNP 50V 1A PS8
