رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1115,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1115,LF(CT-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
المخزون:
333 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889457
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
UTzi
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1115,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
SSM
رقم المنتج الأساسي
RN1115
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1115(T5L,F,T)
RN1115(T5LFT)DKR-DG
RN1115(T5LFT)CT-DG
RN1115,LF(CB
RN1115(T5LFT)TR-DG
RN1115(T5LFT)TR
RN1115LF(CTDKR
RN1115(T5LFT)DKR
RN1115,LF(CTDKR-DG
RN1115(T5LFT)CT
RN1115LF(CTCT
RN1115T5LFT
RN1115LF(CTTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2115,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2406,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI