رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1306,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1306,LF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
المخزون:
2499 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1306,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
SC-70
رقم المنتج الأساسي
RN1306
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1306LFTR
RN1306LFCT
RN1306,LF(T
RN1306LFDKR
RN1306,LF(B
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
SMUN5233T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
29854
DiGi رقم الجزء
SMUN5233T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5233T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1765
DiGi رقم الجزء
MUN5233T1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC143ZU,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
111875
DiGi رقم الجزء
PDTC143ZU,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2112,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM