رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2709,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2709,LF-DG
وصف:
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891544
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2709,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
حزمة جهاز المورد
USV
رقم المنتج الأساسي
RN2709
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2709LFTR
RN2709LFCT
RN2709LFDKR
RN2709,LF(B
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2705JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2903,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2603(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
