رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK25N60X,S1F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK25N60X,S1F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
12889157
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
lMNn
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK25N60X,S1F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1.2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
TK25N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW65R125C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
80
DiGi رقم الجزء
IPW65R125C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH34N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
89
DiGi رقم الجزء
IXFH34N65X2-DG
سعر الوحدة
4.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS