رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH3208PS
Product Overview
المُصنّع:
Transphorm
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH3208PS-DG
وصف:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
13447137
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH3208PS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Transphorm
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 300µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±18V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TPH3208
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
