2N6660-E3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N6660-E3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N6660-E3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)

المخزون:

12910499
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N6660-E3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
990mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-205AD (TO-39)
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
رقم المنتج الأساسي
2N6660

معلومات إضافية

الباقة القياسية
100

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFP350LCPBF

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

vishay-siliconix

IRFPE30PBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3

vishay-siliconix

IRL520PBF

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRF820ASPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK