رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF644L
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF644L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 14A (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
12955014
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
LcO3
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF644L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRF644
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF644L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK13E25D,S1X(S
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
44
DiGi رقم الجزء
TK13E25D,S1X(S-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP17NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2020
DiGi رقم الجزء
STP17NF25-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON6332
MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN
CP775-CWDM3011P-WN
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
ZVP3306FTA
MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
