رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI8416DB-T2-E1
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI8416DB-T2-E1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
وصف تفصيلي:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
المخزون:
16052 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914146
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
icv6
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI8416DB-T2-E1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
8 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
800mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1470 pF @ 4 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-Micro Foot™ (1.5x1)
العبوة / العلبة
6-UFBGA
رقم المنتج الأساسي
SI8416
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ24STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
