SQJ202EP-T1_GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SQJ202EP-T1_GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SQJ202EP-T1_GE3-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

المخزون:

2805 قطع جديدة أصلية في المخزون
12915807
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SQJ202EP-T1_GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A, 60A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
975pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
27W, 48W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
رقم المنتج الأساسي
SQJ202

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3CT-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR
742-SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3DKR-DG
742-SQJ202EP-T1_GE3TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI5903DC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

vishay-siliconix

SI4916DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC

vishay-siliconix

SIF912EDZ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK

vishay-siliconix

SQJQ960EL-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8