IRF614STRR

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF614STRR

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF614STRR-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

13052924

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

IRF614STRR المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Vishay

تعبئة

-

سلسلة

-

التغليف

Tape & Reel (TR)

حالة الجزء

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

250 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.7A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

140 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-263 (D2PAK)

العبوة / العلبة

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

رقم المنتج الأساسي

IRF614

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

800

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

RoHS non-compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

vishay

IRLZ34S

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay

IRFPE40PBF

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

vishay

IRFR310TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay

IRFSL31N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK