الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUM110N03-04P-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUM110N03-04P-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13061113
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUM110N03-04P-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SUM110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SUM110N03-04P
مخططات البيانات
SUM110N03-04P-E3
ورقة بيانات HTML
SUM110N03-04P-E3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SUM110N03-04P-E3TR
SUM110N0304PE3
SUM110N03-04P-E3DKR
SUM110N03-04P-E3CT
SUM110N03-04P-E3-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9945
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN017-30BL,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
1868
DiGi رقم الجزء
PSMN017-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SQP25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6