رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOW12N60
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOW12N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
12848758
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOW12N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
AOW12
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
5202-AOW12N60
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCI7N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
990
DiGi رقم الجزء
FCI7N60-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI418
MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO251A
AOW29S50
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
BS270-D74Z
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
