رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UPA810T-T1-A
Product Overview
المُصنّع:
CEL
رقم الجزء DiGi Electronics:
UPA810T-T1-A-DG
وصف:
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
وصف تفصيلي:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 100mA 4.5GHz 200mW Surface Mount 6-SuperMiniMold
المخزون:
27000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966861
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UPA810T-T1-A المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات الترددات الراديوية ثنائية القطبية
المُصنّع
CEL (California Eastern Laboratories)
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
12V
التردد - الانتقال
4.5GHz
رقم الضوضاء (ديسيبل النمط @ f)
1.2dB @ 1GHz
كسب
9dB
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 7mA, 3V
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
6-SuperMiniMold
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3923-UPA810T-T1-ATR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
نماذج بديلة
رقم الجزء
HN3C10FUTE85LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
101
DiGi رقم الجزء
HN3C10FUTE85LF-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NE68819-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
NE85639-T1-A
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
NE68033-T1B-A
SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL
