DMG4710SSS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMG4710SSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMG4710SSS-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12887698

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMG4710SSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

8.8A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

12.5mOhm @ 11.7A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1849 pF @ 15 V

ميزة FET

Schottky Diode (Body)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.54W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SO

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

DMG4710

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMG4710SSS-13DIDKR

DMG4710SSS13

DMG4710SSS-13DICT

DMG4710SSS-13DI

DMG4710SSS-13DITR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

FDS8878

المُصنِّع

Fairchild Semiconductor

الكمية المتاحة

570614

DiGi رقم الجزء

FDS8878-DG

سعر الوحدة

0.20

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

FDS6690A

المُصنِّع

onsemi

الكمية المتاحة

4652

DiGi رقم الجزء

FDS6690A-DG

سعر الوحدة

0.24

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

AO4468

المُصنِّع

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

الكمية المتاحة

15747

DiGi رقم الجزء

AO4468-DG

سعر الوحدة

0.14

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

RS3E135BNGZETB

المُصنِّع

Rohm Semiconductor

الكمية المتاحة

2565

DiGi رقم الجزء

RS3E135BNGZETB-DG

سعر الوحدة

0.36

نوع الاستبدال

MFR Recommended

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2026UVT-13

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

diodes

ZXMN2F34MATA

MOSFET N-CH 20V 4A DFN322

diodes

DMN10H170SVTQ-7

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

diodes

ZVN2110ASTOA

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE