DMG8N65SCT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMG8N65SCT

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMG8N65SCT-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

المخزون:

12883489
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMG8N65SCT المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1217 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB (Type TH)
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
DMG8N65

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXFP7N80PM
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP7N80PM-DG
سعر الوحدة
4.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFP7N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
299
DiGi رقم الجزء
IXFP7N80P-DG
سعر الوحدة
2.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMTH4004SCTB-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R

diodes

DMN3007LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMN67D8L-7

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23

diodes

DMN1150UFB-7B

MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN