DMN2004DWKQ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN2004DWKQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN2004DWKQ-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 540mA (Ta) 200mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12891911
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN2004DWKQ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
540mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.95nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN2004

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMN3012LEG-7

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

diodes

DMN5L06V-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

diodes

DMTH4007SPDQ-13

MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50

diodes

DMN3033LSDQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO