رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3025LSS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3025LSS-13-DG
وصف:
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12884932
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
uIJw
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3025LSS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
641 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
DMN3025
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMN3025LSS-13CT
31-DMN3025LSS-13DKR
DMN3025LSS-13DITR
DMN3025LSS-13DICT
DMN3025LSS-13DIDKR
31-DMN3025LSS-13TR
DMN3025LSS-13-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6612A
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
141427
DiGi رقم الجزء
FDS6612A-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STS10N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4575
DiGi رقم الجزء
STS10N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
DMN3730UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
DMS3012SFG-13
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333