رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN53D0LDW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN53D0LDW-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
29528 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN53D0LDW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
360mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
46pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
310mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN53
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN53D0LDW-7DITR
DMN53D0LDW-7DIDKR
DMN53D0LDW-7DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP2160UFDBQ-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
DMN61D8LVT-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26