رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN63D1LDW-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN63D1LDW-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
12882513
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN63D1LDW-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
30pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
310mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN63
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN66D0LDW-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2890
DiGi رقم الجزء
DMN66D0LDW-7-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3013LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
PMGD290UCEAX
MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
DMN601VKQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
