رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN63D1LT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN63D1LT-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-523
المخزون:
9700 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884847
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN63D1LT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
320mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
392 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
30 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
330mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-523
العبوة / العلبة
SOT-523
رقم المنتج الأساسي
DMN63
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMN63D1LT-13CT
31-DMN63D1LT-13DKR
31-DMN63D1LT-13TR
DMN63D1LT-13-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN63D1LT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN63D1LT-7-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP2040UVT-13
MOSFET P-CH 20V TSOT26
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
DMT6016LPS-13
MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
