رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP2010UFG-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP2010UFG-13-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12902367
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP2010UFG-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.7A (Ta), 42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3350 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMP2010
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2010UFG-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4571
DiGi رقم الجزء
DMP2010UFG-7-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVP4525E6TA
MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
R6008FNX
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
ZXMN6A25K
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
