DMT64M1LCG-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMT64M1LCG-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMT64M1LCG-7-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12979169
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
2C7S
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMT64M1LCG-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
65 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2626 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
V-DFN3333-8 (Type B)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
DMT64M1LCG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-DMT64M1LCG-7TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMT64M8LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP31D7L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3009LFVQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R