رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMT8008LSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMT8008LSS-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

وصف تفصيلي:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12888871

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMT8008LSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

80 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

13A (Ta), 32A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.8V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2840 pF @ 40 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

رقم المنتج الأساسي

DMT8008

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMT8008LSS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMT8008LSS-13DI

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN