رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VN10LPSTZ
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
VN10LPSTZ-DG
وصف:
MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
المخزون:
12904899
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VN10LPSTZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Box (TB)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
270mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
E-Line (TO-92 compatible)
العبوة / العلبة
E-Line-3, Formed Leads
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N7000-D75Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8017
DiGi رقم الجزء
2N7000-D75Z-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2N7000-D74Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
27687
DiGi رقم الجزء
2N7000-D74Z-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2N7000-D26Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
14242
DiGi رقم الجزء
2N7000-D26Z-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN4310A
MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
IRFI9620GPBF
MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
ZXMN7A11GTA
MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
