الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR116SH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR116SH6327XTSA1-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850124
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR116SH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
150MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
رقم المنتج الأساسي
BCR116
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR116
مخططات البيانات
BCR116SH6327XTSA1
ورقة بيانات HTML
BCR116SH6327XTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
448-BCR116SH6327XTSA1TR
SP000752050
BCR116SH6327XTSA1TR-DGTR-DG
BCR116SH6327XTSA1TR-DG
BCR 116S H6327
BCR116SH6327XTSA1TR
BCR 116S H6327-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMH2N-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
UMH2N-TP-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5233DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
37536
DiGi رقم الجزء
MUN5233DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDC143ZU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
14177
DiGi رقم الجزء
DDC143ZU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5215DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8150
DiGi رقم الجزء
MUN5215DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDC143TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
210207
DiGi رقم الجزء
DDC143TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR22PNE6433HTMA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
MUN5335DW1T2G
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
BCR08PNH6433XTMA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
EMG2DXV5T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553