رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ160N10NS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ160N10NS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
58462 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801400
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ160N10NS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 12µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ160
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSZ160N10NS3 GINTR-DG
BSZ160N10NS3 G-DG
BSZ160N10NS3 GINDKR-DG
BSZ160N10NS3GATMA1CT
BSZ160N10NS3 GINCT-DG
BSZ160N10NS3G
BSZ160N10NS3 GINDKR
SP000482390
BSZ160N10NS3 GINTR
BSZ160N10NS3 G
BSZ160N10NS3GATMA1DKR
BSZ160N10NS3GATMA1TR
BSZ160N10NS3 GINCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
