رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU3708
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU3708-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
المخزون:
12805803
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU3708 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
61A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2417 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
87W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK (TO-251AA)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFU3708
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP023N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
IPW65R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
