IXFA12N65X2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXFA12N65X2

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXFA12N65X2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

المخزون:

288 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914115
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXFA12N65X2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1134 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA (IXFA)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXFA12

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFX170N20T

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3

vishay-siliconix

IRFR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFP054PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

vishay-siliconix

SI5482DU-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK