رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFE80N50
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFE80N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 72A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12819209
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFE80N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
72A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9890 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
580W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFE80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STE53NC50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STE53NC50-DG
سعر الوحدة
30.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
APT58M50JU2
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
APT58M50JU2-DG
سعر الوحدة
29.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFN110N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
15
DiGi رقم الجزء
IXFN110N60P3-DG
سعر الوحدة
30.78
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO247
IXFB72N55Q2
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
MKE38P600LB-TUB
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
