الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA130N10T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA130N10T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12821153
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA130N10T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
130A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5080 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA130
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXTA130N10T, IXTP130N10T
مخططات البيانات
IXTA130N10T
ورقة بيانات HTML
IXTA130N10T-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
Q3262430
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RSJ650N10TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
RSJ650N10TL-DG
سعر الوحدة
2.94
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
HUF75545S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6270
DiGi رقم الجزء
HUF75545S3ST-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5520
DiGi رقم الجزء
PSMN9R5-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS4410TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4152
DiGi رقم الجزء
IRFS4410TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK768R1-100E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
6988
DiGi رقم الجزء
BUK768R1-100E,118-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTV110N25TS
MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
IXFN230N10
MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
IXTH13N80
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
IXTA64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA