الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC858B-QVL
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC858B-QVL-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12966085
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC858B-QVL المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
220 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
رقم المنتج الأساسي
BC858
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BC856-Q, BC857-Q, BC858-Q
مخططات البيانات
BC858B-QVL
ورقة بيانات HTML
BC858B-QVL-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
1727-BC858B-QVL
934663684235
5202-BC858B-QVLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC858B
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BC858B-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BC859B
المُصنِّع
Diotec Semiconductor
الكمية المتاحة
51000
DiGi رقم الجزء
BC859B-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BC859B,215
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
9498000
DiGi رقم الجزء
BC859B,215-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BC858B,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4841
DiGi رقم الجزء
BC858B,235-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BC858B RFG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
8990
DiGi رقم الجزء
BC858B RFG-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC857C-QR
TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
BC847CW-QX
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
2SA2169-H-TL-E
IC REG LINEAR
FGH4L50T65SQD
IC REG LINEAR