الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSN20,215
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSN20,215-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 173mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12827671
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSN20,215 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
173mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
25 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BSN20
مخططات البيانات
BSN20,215
ورقة بيانات HTML
BSN20,215-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSN20 T/R
934012500215
BSN20215
568-1658-6
568-1658-2
568-1658-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N7002LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
586227
DiGi رقم الجزء
2N7002LT1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N7002ET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
528264
DiGi رقم الجزء
2N7002ET1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RUC002N05T116
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
611414
DiGi رقم الجزء
RUC002N05T116-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS138L
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BSS138L-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS138LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
383357
DiGi رقم الجزء
BSS138LT1G-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
BUK92150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
PMK30EP,518
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
PSMN3R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56