الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN1R0-30YLC,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN1R0-30YLC,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
25888 قطع جديدة أصلية في المخزون
12832629
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN1R0-30YLC,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.95V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
103.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6645 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
272W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN1R0
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PSMN1R0-30YLC
مخططات البيانات
PSMN1R0-30YLC,115
ورقة بيانات HTML
PSMN1R0-30YLC,115-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
5202-PSMN1R0-30YLC,115TR
934065072115
1727-5293-6
PSMN1R030YLC115
568-6721-6-DG
568-6721-1-DG
568-6721-2-DG
568-6721-1
568-6721-2
1727-5293-1
568-6721-6
1727-5293-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN5R4-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56
BUK9Y104-100B,115
MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
PMN55ENEX
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP