2N7000BU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N7000BU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N7000BU-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

المخزون:

38857 قطع جديدة أصلية في المخزون
12834371
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N7000BU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
2N7000

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
2166-2N7000BU-488

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BUZ73L

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

onsemi

CPH6444-TL-W

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6CPH

onsemi

2SK4065-DL-1E

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2

onsemi

ATP106-TL-H

MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK