الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC858BWT1
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC858BWT1-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850262
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC858BWT1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
220 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
SC-70-3 (SOT323)
رقم المنتج الأساسي
BC858
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BC858BWT1
ورقة بيانات HTML
BC858BWT1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSBC858BWT1
2156-BC858BWT1-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC859BW,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BC859BW,115-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BC859B,215
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
9498000
DiGi رقم الجزء
BC859B,215-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC858W,135
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
65000
DiGi رقم الجزء
BC858W,135-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC858BWT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1615
DiGi رقم الجزء
BC858BWT1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BC858BE6327HTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BC858BE6327HTSA1-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC858CLT1G
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
BC846BLT1G
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
BUL45
TRANS NPN 400V 5A TO220
FJAF4210OTU
TRANS PNP 140V 10A TO3PF