رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC4618R-TR
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC4618R-TR-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH EFCP1818
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
المخزون:
12837083
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC4618R-TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.6W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
4-XFBGA, FCBGA
حزمة جهاز المورد
EFCP1818-4CC-037
رقم المنتج الأساسي
EFC4618
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS3606S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
ECH8660-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
FDG6322C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
