FCA47N60F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCA47N60F

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCA47N60F-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

427 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850866
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FCA47N60F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
73mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
417W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FCA47N60

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

FDP3672

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220

onsemi

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

FQD19N10TF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK