FCP067N65S3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCP067N65S3

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCP067N65S3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 44A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

2031 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837318
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FCP067N65S3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3090 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
312W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP067

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
SIHP065N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
952
DiGi رقم الجزء
SIHP065N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
3.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUFA75842P3

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

onsemi

FDD4685-F085

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK

onsemi

FCD380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK

onsemi

FDS86106

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC