الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF400N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF400N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12840579
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF400N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1580 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF400
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FCPF400N60
مخططات البيانات
FCPF400N60
ورقة بيانات HTML
FCPF400N60-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
FCPF400N60OS
FCPF400N60FS
FCPF400N60FS-DG
FCPF400N60-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK10A60W,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK10A60W,S4X-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1413
DiGi رقم الجزء
STF13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF11N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
STF11N65M5-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHA12N60E-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
923
DiGi رقم الجزء
SIHA12N60E-E3-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6011ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
R6011ENX-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTB85N03T4G
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NCV8440ASTT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
MTB50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
IPA030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP